IRF1404

Symbol Micros: TIRF1404
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1404PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 202A
Maximaler Leistungsverlust: 333W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1404PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
270 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,5720 1,0978 0,9320 0,8759 0,8269
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 202A
Maximaler Leistungsverlust: 333W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT