IRF1404

Symbol Micros: TIRF1404

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1404PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4mOhm
Max. Drainstrom:	202A
Maximaler Leistungsverlust:	333W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1404PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

270 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	50+	300+
Nettopreis (EUR)	1,5788	1,1026	0,9360	0,8797	0,8305

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1404PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

400 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,9164

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1404PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1800 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8305

Widerstand im offenen Kanal:	4mOhm
Max. Drainstrom:	202A
Maximaler Leistungsverlust:	333W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1284	0,8281	0,6639	0,5701	0,5372