IRF1404

Symbol Micros: TIRF1404

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1404PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	333W
Max. Drainstrom:	202A
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1404 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

370 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	200+	400+
Nettopreis (EUR)	1,3447	0,9422	0,7528	0,7173	0,7078

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1404PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

600 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,7078

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1404PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

4995 stk.

Anzahl Stück	200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,7078

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1404PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

540 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,8699

Widerstand im offenen Kanal:	4mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	333W
Max. Drainstrom:	202A
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,1387	0,7576	0,5847	0,5658	0,5421

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,1387	0,7576	0,5847	0,5658	0,5421