IRF1404 JSMICRO

Symbol Micros: TIRF1404 JSM

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4mOhm; 230A; 285W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF1404PBF; SP001561374;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4mOhm
Max. Drainstrom:	230A
Maximaler Leistungsverlust:	285W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: IRF1404PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1284	0,8281	0,6639	0,5701	0,5372

Widerstand im offenen Kanal:	4mOhm
Max. Drainstrom:	230A
Maximaler Leistungsverlust:	285W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	5+	20+	50+	300+
Nettopreis (EUR)	1,5788	1,1026	0,9360	0,8797	0,8305