IRF3808

Symbol Micros: TIRF3808
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 7mOhm; 140A; 330 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3808PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7mOhm
Max. Drainstrom: 140A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 7mOhm
Max. Drainstrom: 140A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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