IRF520

Symbol Micros: TIRF520

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 270 mOhm; 9,2A; 60W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF520PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	270mOhm
Max. Drainstrom:	9,2A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF520 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

800 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7816	0,4959	0,3920	0,3566	0,3400

Widerstand im offenen Kanal:	270mOhm
Max. Drainstrom:	9,2A
Maximaler Leistungsverlust:	60W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT