IRF520

Symbol Micros: TIRF520
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 270 mOhm; 9,2A; 60W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF520PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 9,2A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF520 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
875 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7771 0,4930 0,3897 0,3545 0,3381
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Standard-Verpackung:
50/1000
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF520PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1450 stk.
Anzahl Stück 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3381
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF520PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1330 stk.
Anzahl Stück 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3490
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 9,2A
Maximaler Leistungsverlust: 60W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

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