IRF5210PBF

Name: TIRF5210 TIRF5210
Brand: Infineon
SKU: TIRF5210
Price: 0.7444 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF5210

Gehäuse: TO220

P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF5210PBF; IRF5210;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF5210 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

42 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	50+	300+
Nettopreis (EUR)	1,2965	0,9068	0,7699	0,7226	0,6825

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF5210PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

700 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	50+	300+
Nettopreis (EUR)	1,2965	0,9068	0,7699	0,7226	0,6825

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5210PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

3390 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7444

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5210PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

19150 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6831

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5210PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

44297 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6825

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,2068	0,9210	0,7628	0,6683	0,6353