IRF5210PBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRF5210 JSM

Gehäuse: TO220

P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF5210PBF; SP001559642;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	55mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: IRF5210PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,2011	0,9167	0,7592	0,6652	0,6323

Widerstand im offenen Kanal:	55mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT