IRF5210PBF JSMICRO
Symbol Micros:
TIRF5210 JSM
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF5210PBF; SP001559642;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
Max. Drainstrom: | 40A |
Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | JSMICRO |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: JSMSEMI
Hersteller-Teilenummer: IRF5210PBF RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,2017 | 0,9171 | 0,7596 | 0,6655 | 0,6326 |
Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
Max. Drainstrom: | 40A |
Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | JSMICRO |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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