IRF5210STRLPBF

Symbol Micros: TIRF5210s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF5210STRLPBF; IRF5210SPBF; IRF5210STRRPBF; IRF5210SPBF-GURT; IRF5210S SMD;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 38A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5210STRLPBF RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,8234 1,5207 1,3470 1,2649 1,2156
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Standard-Verpackung:
800
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5210STRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
4640 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2156
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5210STRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
125600 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2156
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5210STRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)  
Externes Lager:
85600 stk.
Anzahl Stück 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2156
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Standard-Verpackung:
800
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-07-31
Anzahl Stück: 800
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-06-19
Anzahl Stück: 300
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 38A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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