IRF530NS JSMICRO

Symbol Micros: TIRF530 ns JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF530NSPBF; IRF530NSTRLPBF; IRF530NSTRRPBF; SP001551118; SP001563332; SP001554040;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: IRF530NS RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6432 0,4038 0,3357 0,2981 0,2794
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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