IRF5305PBF JSMICRO
Symbol Micros:
TIRF5305 JSM
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF5305PBF; SP001564354;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | JSMICRO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
| Max. Drainstrom: | 35A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | JSMICRO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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