IRF530N

Name: TIRF530n TIRF530n
Brand: Infineon
SKU: TIRF530n
Price: 0.2888 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF530n

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 110mOhm; 17A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF530NPBF; IRF 530N PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530N RoHS Gehäuse: TO220

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70 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,6644	0,4179	0,3287	0,2981	0,2888

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Geplantes Datum:
2026-01-20

Anzahl Stück: 500

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,8874	0,6503	0,5235	0,4484	0,4226

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5892	0,3733	0,2934	0,2676	0,2559