IRF530N

Name: TIRF530n TIRF530n
Brand: Infineon
SKU: TIRF530n
Price: 0.2912 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF530n

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 110mOhm; 17A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF530NPBF; IRF 530N PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF530N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,6700	0,4214	0,3314	0,3007	0,2912

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530N RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,6700	0,4214	0,3314	0,3007	0,2912

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

439 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5168

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

68553 stk.

Anzahl Stück	600+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2912

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

6900 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2912

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5942	0,3764	0,2959	0,2699	0,2581