IRF530N

Name: TIRF530n TIRF530n
Brand: Infineon
SKU: TIRF530n
Price: 0.3005 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF530n

Gehäuse:

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 110mOhm; 17A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF530NPBF; IRF 530N PBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530N RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

400 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,6919	0,4357	0,3425	0,3099	0,3005

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

13650 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,3005

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF530NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

390 stk.

Anzahl Stück	10+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,3079

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	17A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,8806	0,6453	0,5195	0,4450	0,4194

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5848	0,3658	0,2866	0,2703	0,2539

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6174	0,3914	0,3075	0,2796	0,2679