IRF540N JSMICRO

Symbol Micros: TIRF540n JSM

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF540PBF; IRF540PBF-BE3; IRF540NPBF; SP001561906;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	26mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	96W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF540N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

18 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,7512	0,4719	0,3686	0,3474	0,3263

Widerstand im offenen Kanal:	26mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	96W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,9132	0,5775	0,4554	0,4155	0,3967

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6597	0,4179	0,3287	0,3005	0,2864