IRF540N JSMICRO
Symbol Micros:
TIRF540n JSM
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF540PBF; IRF540PBF-BE3; IRF540NPBF; SP001561906;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 26mOhm |
| Max. Drainstrom: | 40A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 96W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | JSMICRO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 26mOhm |
| Max. Drainstrom: | 40A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 96W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | JSMICRO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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