IRF540NL

Symbol Micros: TIRF540nl

Gehäuse: TO262

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540NLPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	44mOhm
Max. Drainstrom:	33A
Maximaler Leistungsverlust:	130W
Gehäuse:	TO262
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF540NL RoHS Gehäuse: TO262 Datenblatt

Auf Lager:

40 stk.

Anzahl Stück	1+	6+	30+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	1,4290	0,9709	0,8213	0,7644	0,7525

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF540NL RoHS Gehäuse: TO262 Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	6+	30+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	1,4290	0,9709	0,8213	0,7644	0,7525

Widerstand im offenen Kanal:	44mOhm
Max. Drainstrom:	33A
Maximaler Leistungsverlust:	130W
Gehäuse:	TO262
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT