IRF540NL
Symbol Micros:
TIRF540nl
Obudowa: TO262
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF540NLPBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 44mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 33A |
Maksymalna tracona moc: | 130W |
Obudowa: | TO262 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: International Rectifier
Symbol producenta: IRF540NL RoHS
Obudowa dokładna: TO262
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. | 1+ | 6+ | 30+ | 150+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 6,0200 | 4,0900 | 3,4600 | 3,2200 | 3,1700 |
Rezystancja otwartego kanału: | 44mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 33A |
Maksymalna tracona moc: | 130W |
Obudowa: | TO262 |
Producent: | Infineon (IRF) |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
Montaż: | THT |