IRF540NSTRL UMW

Symbol Micros: TIRF540ns UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 44mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 44mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRF540NSTRL RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6985 0,4374 0,3645 0,3245 0,3034
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 44mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 70W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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