IRF630 JSMICRO

Name: TIRF630 JSM TIRF630 JSM
Brand: JSMicro Semiconductor
SKU: TIRF630JSM
Price: 0.2566 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF630 JSM

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF630PBF; IRF630PBF-BE3; IRF630NPBF; SP001564792;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	9A
Maximaler Leistungsverlust:	72W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF630 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,5908	0,3696	0,2895	0,2731	0,2566

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	9A
Maximaler Leistungsverlust:	72W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	5+	10+	50+	450+
Nettopreis (EUR)	0,8662	0,5743	0,5155	0,4425	0,4119

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6073	0,3837	0,3037	0,2754	0,2636