IRF6645 Infineon

Name: TIRF6645 TIRF6645
Brand: International Rectifier
SKU: TIRF6645
Price: 0.9468 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF6645

Gehäuse: DirectFET

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 35mOhm; 5,7A; 2,2 W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF6645TRPBF; IRF6645PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	35mOhm
Max. Drainstrom:	5,7A
Maximaler Leistungsverlust:	2,2W
Gehäuse:	DirectFET
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF6645TR RoHS Gehäuse: DirectFET Datenblatt

Auf Lager:

1 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,6102	1,1947	1,0436	0,9704	0,9468

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF6645TR RoHS Gehäuse: DirectFET

Auf Lager:

46 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,5701	1,2513	1,0719	0,9633	0,9232

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF6645TRPBF Gehäuse: DirectFET

Externes Lager:

4800 stk.

Anzahl Stück	4800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,9468

Widerstand im offenen Kanal:	35mOhm
Max. Drainstrom:	5,7A
Maximaler Leistungsverlust:	2,2W
Gehäuse:	DirectFET
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 150°C
Montage:	SMD