IRF7103TRPBF
Symbol Micros:
TIRF7103
Gehäuse: SOP08
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 200 mOhm; 3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7103TRPBF; IRF7103PBF; IRF7103TR; IRF7103PBF-GURT; IRF7103 SMD;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
Max. Drainstrom: | 3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
Gehäuse: | SOP08 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF7103TRPBF RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5351 | 0,3253 | 0,2499 | 0,2251 | 0,2143 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF7103 RoHS
Gehäuse: SOP08
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5351 | 0,3253 | 0,2499 | 0,2251 | 0,2143 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF7103TRPBF RoHS
Gehäuse: SOP08t/r
Auf Lager:
18588 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5351 | 0,3253 | 0,2499 | 0,2251 | 0,2143 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF7103TRPBFXTMA1
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2143 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF7103TRPBF
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
13940 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,2143 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF7103TRPBFXTMA1
Gehäuse: SOP08
Externes Lager:
16000 stk.
Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,2143 |
Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
Max. Drainstrom: | 3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
Gehäuse: | SOP08 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
Ausführliche Beschreibung
Hersteller: INTERNATIONAL RECTIFIER
Transistortyp: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Transistorart: HEXFET
Spannung Drain-Source: 50V
Drainstrom: 3A
Leistung: 2W
Gehäuse: SOP08
Spannung Gate-Source: 20V
Durchgangswiderstand: 200mΩ
Thermischer Widerstand Junction-Umgebung: 62.5K/W
Montage: SMD
Gate-Ladung: 12nC
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