IRF7103TRPBF

Symbol Micros: TIRF7103
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 200 mOhm; 3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7103TRPBF; IRF7103PBF; IRF7103TR; IRF7103PBF-GURT; IRF7103 SMD;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Max. Drainstrom: 3A
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7103TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4256 0,2351 0,1848 0,1712 0,1641
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7103TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
9838 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4256 0,2351 0,1848 0,1712 0,1641
Standard-Verpackung:
4000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7103 RoHS Gehäuse: SOP08  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 95+ 190+ 950+
Nettopreis (EUR) 0,5902 0,3456 0,2798 0,2680 0,2563
Standard-Verpackung:
95/950
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Max. Drainstrom: 3A
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD
Ausführliche Beschreibung

Hersteller: INTERNATIONAL RECTIFIER
Transistortyp: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Transistorart: HEXFET
Spannung Drain-Source: 50V
Drainstrom: 3A
Leistung: 2W
Gehäuse: SOP08
Spannung Gate-Source: 20V
Durchgangswiderstand: 200mΩ
Thermischer Widerstand Junction-Umgebung: 62.5K/W
Montage: SMD
Gate-Ladung: 12nC