IRF7341

Symbol Micros: TIRF7341
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7341PBF; IRF7341TRPBF; SP001554204; SP001577408;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 4,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7341TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
373 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 700+
Nettopreis (EUR) 0,5529 0,3482 0,2753 0,2494 0,2400
Standard-Verpackung:
700
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7341TRPBF Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
16000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2400
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 4,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD