IRF7341

Symbol Micros: TIRF7341
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7341PBF; IRF7341TRPBF; SP001554204; SP001577408;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 4,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7341TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
86 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 402+
Nettopreis (EUR) 0,5423 0,3235 0,2643 0,2324 0,2165
Standard-Verpackung:
402
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7341TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5423 0,3281 0,2529 0,2274 0,2165
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7341TRPBFXTMA1 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
3800 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2802
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7341TRPBFXTMA1 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
112000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2165
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF7341TRPBFXTMA1 Gehäuse: SOP08  
Externes Lager:
63500 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3909
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-10-16
Anzahl Stück: 1000
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 4,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD