IRF740PBF

Symbol Micros: TIRF740
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 550 mOhm; 10A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF740PBF; IRF740;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
275 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2357 0,9432 0,7817 0,6834 0,6506
Standard-Verpackung:
50/1000
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
17300 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6506
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
5315 stk.
Anzahl Stück 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6506
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
57010 stk.
Anzahl Stück 750+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6506
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT