IRF740PBF

Symbol Micros: TIRF740
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 550 mOhm; 10A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF740PBF; IRF740;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2263 0,9359 0,7757 0,6782 0,6456
Standard-Verpackung:
50/1000
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF Gehäuse: TO220  
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100 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6456
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF Gehäuse: TO220  
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5800 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6456
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF Gehäuse: TO220  
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4740 stk.
Anzahl Stück 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6995
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
84010 stk.
Anzahl Stück 750+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6456
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-09-30
Anzahl Stück: 500
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT