IRF740PBF
Symbol Micros:
TIRF740
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 550 mOhm; 10A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF740PBF; IRF740;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
375 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2517 | 0,9554 | 0,7918 | 0,6922 | 0,6590 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
18300 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6590 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3540 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6590 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
57010 stk.
| Anzahl Stück | 750+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6590 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
| Max. Drainstrom: | 10A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole