IRF740PBF
Symbol Micros:
TIRF740
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 550 mOhm; 10A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF740PBF; IRF740;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
Max. Drainstrom: | 10A |
Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
220 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,1929 | 0,9117 | 0,7546 | 0,6609 | 0,6281 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1400 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5508 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1390 stk.
Anzahl Stück | 25+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5508 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
50 stk.
Anzahl Stück | 50+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5508 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-02-28
Anzahl Stück: 1000
Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
Max. Drainstrom: | 10A |
Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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