IRF7811AV

Symbol Micros: TIRF7811av
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 14mOhm; 10,8A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7811AVPBF; IRF7811AVTRPBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 10,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: VBsemi Hersteller-Teilenummer: IRF7811AVTR-VB RoHS Gehäuse: SOP08t/r  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7299 0,4571 0,3801 0,3381 0,3171
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 14mOhm
Max. Drainstrom: 10,8A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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