IRF830PBF

Symbol Micros: TIRF830

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 1,5 Ohm; 4,5A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF830PBF; IRF830;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	4,5A
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF830 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

48 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	300+	900+
Nettopreis (EUR)	0,8468	0,5365	0,4222	0,3802	0,3686

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF830PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

300 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	300+	900+
Nettopreis (EUR)	0,8468	0,5365	0,4222	0,3802	0,3686

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF830APBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

850 stk.

Anzahl Stück	25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5047

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF830PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2060 stk.

Anzahl Stück	5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4867

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF830APBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

58600 stk.

Anzahl Stück	950+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3709

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	4,5A
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6392	0,4036	0,3196	0,2916	0,2776

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6928	0,4386	0,3453	0,3149	0,3009