IRF830PBF

Symbol Micros: TIRF830

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 1,5 Ohm; 4,5A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF830PBF; IRF830;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	4,5A
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF830 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

103 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	300+	900+
Nettopreis (EUR)	0,9359	0,5926	0,4679	0,4186	0,4068

Widerstand im offenen Kanal:	1,5Ohm
Max. Drainstrom:	4,5A
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6984	0,4421	0,3480	0,3174	0,3033