IRF840

Symbol Micros: TIRF840
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 850 mOhm; 8A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF840PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF840B RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
95 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,1556 0,8066 0,6841 0,6448 0,6079
Standard-Verpackung:
50/300
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF 840 PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
807 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,2694
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF840PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
64425 stk.
Anzahl Stück 650+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6079
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF840PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2525 stk.
Anzahl Stück 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,0528
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT