IRF840

Symbol Micros: TIRF840

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 850 mOhm; 8A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF840PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	850mOhm
Max. Drainstrom:	8A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF840B RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

145 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	50+	300+
Nettopreis (EUR)	1,1689	0,8159	0,6920	0,6522	0,6148

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF840PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2300 stk.

Anzahl Stück	25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,6689

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF840PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

4450 stk.

Anzahl Stück	250+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,6148

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF840PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

60475 stk.

Anzahl Stück	650+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,6148

Widerstand im offenen Kanal:	850mOhm
Max. Drainstrom:	8A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT