IRF9510
Symbol Micros:
TIRF9510
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1,2 Ohm; 4A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9510PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,2Ohm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 43W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF9510PBF RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,6219 | 0,3943 | 0,3098 | 0,2816 | 0,2699 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9510PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2699 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9510PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
650 stk.
Anzahl Stück | 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,3516 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9510PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2699 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,2Ohm |
Max. Drainstrom: | 4A |
Maximaler Leistungsverlust: | 43W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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