IRF9510

Symbol Micros: TIRF9510
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1,2 Ohm; 4A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9510PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF9510PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
125 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6116 0,3877 0,3047 0,2770 0,2654
Standard-Verpackung:
50/200
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9510PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
675 stk.
Anzahl Stück 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4213
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,2Ohm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT