IRF9530NPBF

Symbol Micros: TIRF9530n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 14A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9530NPBF; IRF 9530N PBF; IRF9530N;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF9530N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
240 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,7326 0,4618 0,3617 0,3299 0,3185
Standard-Verpackung:
50/500
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT