IRF9530NPBF
Symbol Micros:
TIRF9530n
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 14A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9530NPBF; IRF 9530N PBF; IRF9530N;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
| Max. Drainstrom: | 14A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF9530N RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
600 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7771 | 0,4930 | 0,3897 | 0,3545 | 0,3381 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 200mOhm |
| Max. Drainstrom: | 14A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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