IRF9530NPBF

Name: TIRF9530n TIRF9530n
Brand: Infineon
SKU: TIRF9530n
Price: 0.3546 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF9530n

Gehäuse: TO220

P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 14A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9530NPBF; IRF 9530N PBF; IRF9530N;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	14A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9530N RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8164	0,5179	0,4082	0,3709	0,3546

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9530NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3546

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9530NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

13805 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3546

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF9530NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

38448 stk.

Anzahl Stück	400+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,3546

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-07-30

Anzahl Stück: 500

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	14A
Maximaler Leistungsverlust:	79W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,4089	1,0754	0,8911	0,7815	0,7418