IRF9530NPBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRF9530n MOS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF9530PBF; IRF9530PBF-BE3; IRF9530NPBF; SP001570634;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: MOSLEADER Hersteller-Teilenummer: IRF9530NPBF-ML RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7545 0,4786 0,3772 0,3442 0,3277
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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