IRF9610

Symbol Micros: TIRF9610
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 3Ohm; 1,8A; 20W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF9610PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 20W
Max. Drainstrom: 1,8A
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF9610PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
225 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 300+ 600+
Nettopreis (EUR) 1,0150 0,6743 0,5227 0,4877 0,4830
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/300
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 20W
Max. Drainstrom: 1,8A
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole