IRF9610
Symbol Micros:
TIRF9610
Gehäuse: TO220
P-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 3Ohm; 1,8A; 20W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF9610PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
Max. Drainstrom: | 1,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 20W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF9610PBF RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 300+ | 600+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,0172 | 0,6758 | 0,5238 | 0,4887 | 0,4841 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9610PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
640 stk.
Anzahl Stück | 350+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4841 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9610PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2052 stk.
Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,4841 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRF9610PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
14550 stk.
Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4841 |
Widerstand im offenen Kanal: | 3Ohm |
Max. Drainstrom: | 1,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 20W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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