IRF9610

Symbol Micros: TIRF9610
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 3Ohm; 1,8A; 20W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF9610PBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 20W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF9610 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
24 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7533 0,4772 0,3766 0,3439 0,3275
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Standard-Verpackung:
50/200
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF9610 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
160 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7533 0,4772 0,3766 0,3439 0,3275
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Standard-Verpackung:
50/300
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 20W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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