IRF9Z34

Symbol Micros: TIRF9Z34
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Gehäuse: TO220
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 140 mOhm; 18A; 88W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF9Z34PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 88W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF9Z34 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
180 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,8827 0,5845 0,4813 0,4484 0,4202
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 88W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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