IRFB3006

Symbol Micros: TIRFB3006

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,5 mOhm; 270A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB3006PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,5mOhm
Max. Drainstrom:	270A
Maximaler Leistungsverlust:	375W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3006PBF Gehäuse: TO220

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Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,5574

Widerstand im offenen Kanal:	2,5mOhm
Max. Drainstrom:	270A
Maximaler Leistungsverlust:	375W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT