IRFB3006

Symbol Micros: TIRFB3006

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,5 mOhm; 270A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB3006PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,5mOhm
Max. Drainstrom:	270A
Maximaler Leistungsverlust:	375W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB3006 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

22 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	150+
Nettopreis (EUR)	3,2937	2,7318	2,4012	2,1935	2,1250

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3006PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

90 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,1250

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3006PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

440 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,1250

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3006GPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

925 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,1250

Widerstand im offenen Kanal:	2,5mOhm
Max. Drainstrom:	270A
Maximaler Leistungsverlust:	375W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT