IRFB3306

Name: TIRFB3306 TIRFB3306
Brand: Infineon
SKU: TIRFB3306
Price: 0.7769 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFB3306

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4,2 mOhm; 160A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB3306PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,2mOhm
Max. Drainstrom:	160A
Maximaler Leistungsverlust:	230W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB3306 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

290 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,3460	1,0272	0,8501	0,7462	0,7084

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB3306PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,3460	1,0272	0,8501	0,7462	0,7084

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3306PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

830 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7084

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3306PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1487 stk.

Anzahl Stück	300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,7084

Widerstand im offenen Kanal:	4,2mOhm
Max. Drainstrom:	160A
Maximaler Leistungsverlust:	230W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT