IRFB3306

Symbol Micros: TIRFB3306
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4,2 mOhm; 160A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB3306PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,2mOhm
Max. Drainstrom: 160A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3306PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2034 0,9196 0,7600 0,6662 0,6334
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3306PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
710 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,7754
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,2mOhm
Max. Drainstrom: 160A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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