IRFB3306

Symbol Micros: TIRFB3306
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4,2 mOhm; 160A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB3306PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,2mOhm
Max. Drainstrom: 160A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3306PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0886 0,8319 0,6876 0,6028 0,5730
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3306PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
970 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,8350
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFB3306PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
32133 stk.
Anzahl Stück 300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5730
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-11-15
Anzahl Stück: 1000
Widerstand im offenen Kanal: 4,2mOhm
Max. Drainstrom: 160A
Maximaler Leistungsverlust: 230W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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