IRFB7430 TO220AB
Symbol Micros:
TIRFB7430
Gehäuse: TO220AB
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,3 mOhm; 409A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB7430PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 409A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO220AB |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFB7430 RoHS
Gehäuse: TO220AB
Datenblatt
Auf Lager:
508 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,0862 | 3,4604 | 3,0817 | 2,8394 | 2,7429 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFB7430PBF
Gehäuse: TO220AB
Externes Lager:
240 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,7429 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 409A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | TO220AB |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole