IRFB7430 TO220AB

Symbol Micros: TIRFB7430
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220AB
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,3 mOhm; 409A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFB7430PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,3mOhm
Max. Drainstrom: 409A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFB7430 RoHS Gehäuse: TO220AB Datenblatt
Auf Lager:
508 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 4,0949 3,4678 3,0882 2,8454 2,7488
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Standard-Verpackung:
50/550
Widerstand im offenen Kanal: 1,3mOhm
Max. Drainstrom: 409A
Maximaler Leistungsverlust: 375W
Gehäuse: TO220AB
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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