IRFF230

Symbol Micros: TIRFF230
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 39
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 460 mOhm; 5,5A; 25W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 460mOhm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO 39
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 460mOhm
Max. Drainstrom: 5,5A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO 39
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT