IRFI4019H-117P TO220/5Qiso

Symbol Micros: TIRFI4019h-117p

Gehäuse: TO220/5Q iso

2xN-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 95mOhm; 8,7A; 18W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFI4019HG-117P;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	95mOhm
Max. Drainstrom:	8,7A
Maximaler Leistungsverlust:	18W
Gehäuse:	TO220/5Q iso
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	95mOhm
Max. Drainstrom:	8,7A
Maximaler Leistungsverlust:	18W
Gehäuse:	TO220/5Q iso
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT