IRFI4227PBF

Symbol Micros: TIRFI4227
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 30V; 25mOhm; 26A; 46W; -40°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 46W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFI4227 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
38 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 20+ 38+
Nettopreis (EUR) 1,5743 1,2285 1,0306 0,9669 0,9259
Standard-Verpackung:
38
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFI4227 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
36 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 20+ 50+
Nettopreis (EUR) 1,5743 1,2354 1,0420 0,9783 0,9259
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 25mOhm
Max. Drainstrom: 26A
Maximaler Leistungsverlust: 46W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: THT