IRFL4310

Symbol Micros: TIRFL4310

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 2,2A; 2,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFL4310TRPBF; IRFL4310PBF; IRFL4310PBF-GURT;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	2,2A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFL4310TRPBF RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6476	0,4065	0,3380	0,3002	0,2812

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFL4310TRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2812

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFL4310TRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

122500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2812

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFL4310TRPBF Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

1250 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2812

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	2,2A
Maximaler Leistungsverlust:	2,1W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD