IRFP3710
Symbol Micros:
TIRFP3710
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 25mOhm; 57A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP3710PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 25mOhm |
| Max. Drainstrom: | 57A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFP3710 RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
550 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,9832 | 1,4709 | 1,2679 | 1,1947 | 1,1663 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP3710PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
950 stk.
| Anzahl Stück | 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1663 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP3710PBF
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
355 stk.
| Anzahl Stück | 5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3179 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 25mOhm |
| Max. Drainstrom: | 57A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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