IRFP4110
Symbol Micros:
TIRFP4110
Gehäuse: TO247
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,5 mOhm; 180A; 370 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP4110PBF; IRFP4110PBFXKMA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 180A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 370W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFP4110PBFXKMA1 RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
128 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 25+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,9086 | 1,5142 | 1,3546 | 1,2865 | 1,2724 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP4110PBFXKMA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
365 stk.
| Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5893 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFP4110PBFXKMA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
1434 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2724 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 180A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 370W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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Gehäuse:
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Auf Lager
30 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
| Nettopreis (EUR) | 1,7912 | 1,3287 | 1,1339 | 1,0682 | 1,0541 |
Standard-Verpackung: 30
Menge (Vielfache 1)
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