IRFP4332

Symbol Micros: TIRFP4332
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247AC
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N-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 33mOhm; 57A; 360 W; -40 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFP4332PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 57A
Maximaler Leistungsverlust: 360W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFP4332 RoHS Gehäuse: TO247AC Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,0548 2,3854 2,1053 2,0009 1,9700
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Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 57A
Maximaler Leistungsverlust: 360W
Gehäuse: TO247AC
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Montage: THT

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