IRFP4332

Symbol Micros: TIRFP4332
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247AC
Tranzystor N-MOSFET; 250V; 30V; 33mOhm; 57A; 360W; -40°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4332PBF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 33mOhm
Maksymalny prąd drenu: 57A
Maksymalna tracona moc: 360W
Obudowa: TO247AC
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 250V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFP4332 RoHS Obudowa dokładna: TO247AC karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 12,8700 10,0500 8,8700 8,4300 8,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Rezystancja otwartego kanału: 33mOhm
Maksymalny prąd drenu: 57A
Maksymalna tracona moc: 360W
Obudowa: TO247AC
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 250V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Montaż: THT