IRFP90N20DPBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRFP90n20d JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 220V; 20V; 30mOhm; 95A; 600W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRFP90N20DPBF; SP001552070;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 95A
Maximaler Leistungsverlust: 600W
Gehäuse: TO247
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 220V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: IRFP90N20DPBF RoHS Gehäuse: TO247  
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,4639 1,9542 1,7358 1,6583 1,6418
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Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 95A
Maximaler Leistungsverlust: 600W
Gehäuse: TO247
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 220V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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