IRFR1018E
Symbol Micros:
TIRFR1018e
Gehäuse: TO252
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8,4 mOhm; 79A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR1018EPBF; IRFR1018EPBF-GURT; IRFR1018ETRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,4mOhm |
| Max. Drainstrom: | 79A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR1018ETRPBF
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
8000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3018 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR1018ETRPBF
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
14000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3627 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR1018ETRPBF
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
5150 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5316 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR1018ETRPBF
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
28000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3941 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,4mOhm |
| Max. Drainstrom: | 79A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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