IRFR110 smd

Symbol Micros: TIRFR110
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 540 mOhm; 4,3A; 25W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR110PBF; IRFR110TRPBF; IRFR110PBF-BE3; IRFR110TRLPBF-BE3; IRFR110TRPBF-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 540mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFR110 RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 75+ 300+ 1200+
Nettopreis (EUR) 0,5724 0,3462 0,2562 0,2377 0,2285
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Standard-Verpackung:
75
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR110PBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
375 stk.
Anzahl Stück 75+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2285
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Standard-Verpackung:
75
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR110TRPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2285
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR110PBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
1178 stk.
Anzahl Stück 25+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3266
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFR110TRPBF Gehäuse: TO252 (DPAK)  
Externes Lager:
8000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2285
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 540mOhm
Max. Drainstrom: 4,3A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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