IRFR110 smd
Symbol Micros:
TIRFR110
Gehäuse: TO252 (DPAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 540 mOhm; 4,3A; 25W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR110PBF; IRFR110TRPBF; IRFR110PBF-BE3; IRFR110TRLPBF-BE3; IRFR110TRPBF-BE3;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 540mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFR110 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPAK)
Auf Lager:
70 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 1200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5669 | 0,3429 | 0,2537 | 0,2354 | 0,2263 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 540mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 25W |
| Gehäuse: | TO252 (DPAK) |
| Hersteller: | VISHAY |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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