IRFR1205TRLPBF
Symbol Micros:
TIRFR1205
Gehäuse: TO252
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 27mOhm; 44A; 107W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR1205TRPBF; IRFR1205PBF-GURT; IRFR1205TRLPBF IRFR1205PBF; IRFR1205;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 27mOhm |
| Max. Drainstrom: | 44A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 107W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFR1205 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Datenblatt
Auf Lager:
8 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 43+ | 172+ | 731+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9333 | 0,5903 | 0,4713 | 0,4270 | 0,4060 |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFR1205 RoHS
Gehäuse: TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8470 | 0,5343 | 0,4200 | 0,3803 | 0,3687 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR1205TRPBF
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
8000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4060 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR1205TRPBF
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
19150 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4060 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 27mOhm |
| Max. Drainstrom: | 44A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 107W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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