IRFR1205TRLPBF

Symbol Micros: TIRFR1205
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 27mOhm; 44A; 107W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR1205TRPBF; IRFR1205PBF-GURT; IRFR1205TRLPBF IRFR1205PBF; IRFR1205;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 27mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 107W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR1205 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
8 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 43+ 172+ 731+
Nettopreis (EUR) 0,9112 0,5763 0,4601 0,4169 0,3964
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Standard-Verpackung:
43
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR1205 RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,8269 0,5216 0,4100 0,3713 0,3599
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Standard-Verpackung:
500
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR1205TRPBF Gehäuse: TO252  
Externes Lager:
17100 stk.
Anzahl Stück 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3964
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 27mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 107W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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