IRFR120Z

Symbol Micros: TIRFR120z
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 190 mOhm; 8,7A; 35W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR120ZPBF; IRFR120ZTRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 8,7A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR120ZTRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)  
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150 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1713
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 8,7A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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