IRFR220NTRPBF

Symbol Micros: TIRFR220n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 600 mOhm; 5A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR220NPBF; IRFR220NTRPBF; IRFR220NPBF-GURT; IRFR220NTRLPBF; IRFR220N;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR220NTRPBF RoHS Gehäuse: TO252t/r  
Auf Lager:
1300 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5947 0,3761 0,2962 0,2703 0,2586
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Standard-Verpackung:
2000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR220NTR RoHS Gehäuse: TO252t/r  
Auf Lager:
210 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5947 0,3761 0,2962 0,2703 0,2586
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Standard-Verpackung:
2000
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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