IRFR220NTR
Symbol Micros:
TIRFR220n c
Gehäuse: TO252
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 600 mOhm; 5A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; IRFR220NTRPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 43W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 43W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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