IRFR220NTR

Symbol Micros: TIRFR220n c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 600 mOhm; 5A; 43W; -55 °C ~ 175 °C; IRFR220NTRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO252
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO252
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD