IRFR3303

Symbol Micros: TIRFR3303
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 31mOhm; 33A; 57W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 31mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR3303 RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) Datenblatt
Auf Lager:
57 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,6080 0,4509 0,3324 0,2846 0,2641
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Standard-Verpackung:
75
Widerstand im offenen Kanal: 31mOhm
Max. Drainstrom: 33A
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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