IRFR3303

Symbol Micros: TIRFR3303
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPACK)
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 31mOhm; 33A; 57W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 31mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 57W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: International Rectifier Symbol producenta: IRFR3303 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
57 szt.
ilość szt. 2+ 5+ 20+ 75+ 300+
cena netto (PLN) 3,4500 2,5600 1,8900 1,6200 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Rezystancja otwartego kanału: 31mOhm
Maksymalny prąd drenu: 33A
Maksymalna tracona moc: 57W
Obudowa: TO252 (DPACK)
Producent: Infineon (IRF)
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD