IRFR3607TRPBF

Symbol Micros: TIRFR3607

Gehäuse: TO252 (DPACK)

N-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFR3607TRPBF; IRFR3607PBF-GURT; IRFR3607PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	75V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFR3607TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

80 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,1995	0,7989	0,6614	0,5950	0,5713

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR3607TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5713

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR3607TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

610000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5713

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR3607TRPBF Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

2900 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5713

Widerstand im offenen Kanal:	9mOhm
Max. Drainstrom:	80A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	75V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8985	0,5642	0,4694	0,4172	0,3912