IRFR3710ZPBF Infineon
Symbol Micros:
TIRFR3710z
Gehäuse: DPAK
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 18mOhm; 56A; 140 W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRFR3710ZTRPBF; IRFR3710ZTRLPBF; IRFR3710ZPBF-GURT;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 56A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRFR3710ZTRPBF RoHS
Gehäuse: DPAK t/r
Auf Lager:
180 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1527 | 0,7630 | 0,6315 | 0,5681 | 0,5493 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 56A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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90 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,9414 | 0,6268 | 0,5188 | 0,4672 | 0,4484 |
Standard-Verpackung: 100
Menge (Vielfache 1)
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200 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,7888 | 0,5000 | 0,3944 | 0,3592 | 0,3427 |
Standard-Verpackung: 200
Menge (Vielfache 1)
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