IRFR5305T HXY MOSFET
Symbol Micros:
TIRFR5305 HXY
Gehäuse: TO252 (DPAK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 100mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 40W |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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